半导体可饱和吸收镜及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510056277.7

申请日：

2005-04-04

公开(公告)号：

CN1848561A

公开(公告)日：

2006-10-18

发明(设计)人：

王翠鸾王勇刚林涛王俊郑凯冯小明仲莉马杰慧马骁宇

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S3098

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-18	公开	公开
2006-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-04-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

一种半导体可饱和吸收镜及其制备方法 [P].

林楠 ;

熊聪 ;

马骁宇 ;

刘素平 .

中国专利 :CN114300923A ,2022-04-08

[2]

光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜 [P].

王勇刚 ;

马骁宇 ;

王翠鸾 ;

林涛 ;

王俊 .

中国专利 :CN1979980A ,2007-06-13

[3]

表面高反型半导体可饱和吸收镜 [P].

王勇刚 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN1707882A ,2005-12-14

[4]

中间镜式半导体可饱和吸收镜 [P].

王勇刚 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN1707883A ,2005-12-14

[5]

可提高抗热损伤性能的半导体可饱和吸收镜及其制作方法 [P].

陈炯 ;

崔索超 ;

郑建奎 ;

潘科 ;

白航宇 .

中国专利 :CN112713493A ,2021-04-27

[6]

一种半导体可饱和吸收镜结构 [P].

梁崇智 ;

黎海明 ;

朱海波 .

中国专利 :CN208508231U ,2019-02-15

[7]

半导体可饱和吸收镜及其制备方法及光纤激光器 [P].

陈玲玲 ;

张梦 ;

张志刚 ;

樊仲维 .

中国专利 :CN101635431B ,2010-01-27

[8]

外延结构逆序生长的半导体可饱和吸收镜及其制备方法 [P].

黄婷 ;

林楠 ;

刘素平 ;

仲莉 ;

张秋月 ;

熊聪 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN118198841A ,2024-06-14

[9]

一种复合半导体可饱和吸收镜、制备方法及其应用 [P].

张子旸 ;

张建 ;

陈红梅 ;

蒋成 ;

尉超群 .

中国专利 :CN119805837A ,2025-04-11

[10]

表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜 [P].

王勇刚 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN1705175A ,2005-12-07

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