金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710597182.9

申请日：

2017-07-20

公开(公告)号：

CN107393932B

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

何佳新

申请人：

申请人地址：

215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21465 H01L2177

代理机构：

上海波拓知识产权代理有限公司 31264

代理人：

蔡光仟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	授权	授权
2019-12-24	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/12 变更事项:申请人变更前:昆山龙腾光电有限公司变更后:昆山龙腾光电股份有限公司变更事项:地址变更前:215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号变更后:215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20170720
2017-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

钟德镇 ;

苏子芳 ;

祝伟鹏 .

中国专利 :CN115360141A ,2022-11-18

[2]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

钟德镇 ;

苏子芳 ;

祝伟鹏 .

中国专利 :CN115360141B ,2024-05-03

[3]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法 [P].

邹忠飞 .

中国专利 :CN104505372A ,2015-04-08

[4]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

陈晓威 .

中国专利 :CN114678427A ,2022-06-28

[5]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

钟德镇 ;

张原豪 .

中国专利 :CN115084277A ,2022-09-20

[6]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板 [P].

钟德镇 ;

祝伟鹏 .

中国专利 :CN116013936B ,2025-10-31

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

姚江波 .

中国专利 :CN105789320A ,2016-07-20

[8]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

贺家煜 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

黄杰 ;

赵坤 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN113809182A ,2021-12-17

[9]

金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法 [P].

向舟翊 .

中国专利 :CN106128944A ,2016-11-16

[10]

金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置 [P].

李正亮 ;

冯京 ;

宁策 ;

刘松 ;

张文林 ;

杜建华 ;

孙雪菲 .

中国专利 :CN106935512B ,2017-07-07

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