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具有沟槽场板的高压双极型晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110190700.8
申请日
:
2011-07-08
公开(公告)号
:
CN102315250A
公开(公告)日
:
2012-01-11
发明(设计)人
:
C.卡道
N.克里施克
T.迈尔
申请人
:
申请人地址
:
奥地利菲拉赫
IPC主分类号
:
H01L2908
IPC分类号
:
H01L2972
H01L2128
H01L21331
H01L2710
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
王岳;李家麟
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-03-07
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194115110 IPC(主分类):H01L 29/08 专利申请号:2011101907008 申请日:20110708
2014-08-20
授权
授权
2012-01-11
公开
公开
共 50 条
[1]
具有沟槽场板的高压双极型晶体管
[P].
C.卡道
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C.卡道
;
N.克里施克
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N.克里施克
;
T.迈尔
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T.迈尔
.
中国专利
:CN104134664B
,2014-11-05
[2]
具有场板的高压晶体管
[P].
R·泰德帕里
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R·泰德帕里
;
C·S·徐
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C·S·徐
.
中国专利
:CN113811986A
,2021-12-17
[3]
具有不连续沟槽的沟槽双极型晶体管
[P].
李宇柱
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0
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0
李宇柱
.
中国专利
:CN103943673A
,2014-07-23
[4]
具有沟槽结构的绝缘栅双极型晶体管
[P].
鸟居克行
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鸟居克行
.
中国专利
:CN102903740B
,2013-01-30
[5]
沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法
[P].
吕宇强
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吕宇强
;
陈雪萌
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陈雪萌
;
杨海波
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杨海波
;
永福
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永福
.
中国专利
:CN102779750A
,2012-11-14
[6]
双极型晶体管
[P].
梅本康成
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梅本康成
;
黑川敦
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黑川敦
;
西明恒和
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西明恒和
.
中国专利
:CN104995724B
,2015-10-21
[7]
双极型晶体管
[P].
T·J·菲利普斯
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0
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T·J·菲利普斯
.
中国专利
:CN1432196A
,2003-07-23
[8]
沟槽绝缘栅双极型晶体管
[P].
郭家铭
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郭家铭
;
俞仲威
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俞仲威
;
黄国伦
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黄国伦
;
张朝宗
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张朝宗
.
中国专利
:CN214152905U
,2021-09-07
[9]
双极型晶体管的制备方法
[P].
胡杨
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胡杨
;
张琼
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张琼
;
张洁
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张洁
;
任萍萍
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任萍萍
.
中国专利
:CN104091762A
,2014-10-08
[10]
双极型晶体管的制造方法
[P].
张博
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张博
;
杨新杰
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
杨新杰
;
张晗
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张晗
;
金锋
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
金锋
;
杨继业
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机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
杨继业
.
中国专利
:CN115241064B
,2025-11-04
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