一种键合对准精度的检测方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611187333.5

申请日：

2016-12-20

公开(公告)号：

CN108206142B

公开(公告)日：

2018-06-26

发明(设计)人：

程晋广陈福成施林波

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	授权	授权
2018-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20161220
2018-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

键合对准检测结构、半导体器件及检测方法 [P].

朱淑娟 ;

张春雨 ;

渠汇 .

中国专利 :CN118738025A ,2024-10-01

[2]

半导体结构及其对准精度的检测方法、制作方法 [P].

章恒嘉 .

中国专利 :CN118486679A ,2024-08-13

[3]

半导体临时键合结构、键合与解键合方法及半导体器件 [P].

叶竹之 ;

李辉 ;

陆旺 ;

刘屿剑 .

中国专利 :CN119943797A ,2025-05-06

[4]

一种半导体器件和热沉键合的方法 [P].

杨国文 ;

王希敏 .

中国专利 :CN113345808A ,2021-09-03

[5]

一种半导体器件和热沉键合的方法 [P].

杨国文 ;

王希敏 .

中国专利 :CN113345809B ,2021-09-03

[6]

混合键合方法和半导体器件 [P].

张宇 ;

丁飞 ;

王启东 ;

金仁喜 ;

杨宇东 .

中国专利 :CN120637266A ,2025-09-12

[7]

键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备 [P].

章莱 ;

刘括 ;

王阳 .

中国专利 :CN119811987A ,2025-04-11

[8]

形成半导体器件的对准键的方法 [P].

金明寿 .

中国专利 :CN1941281A ,2007-04-04

[9]

一种用于半导体器件的键合对准系统、键合工艺及其键合结构 [P].

王法剑 ;

杨超 ;

丁浩宸 .

中国专利 :CN119419155A ,2025-02-11

[10]

半导体器件的临时键合与解键合的方法及半导体器件 [P].

杨涛 ;

王晋 ;

郭佳惠 ;

高晋文 ;

朱亚东 ;

俞开园 ;

郝玮倩 ;

熊鸽 ;

黄礼武 ;

陆原 .

中国专利 :CN118255320A ,2024-06-28

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