半导体传感器装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680054391.2

申请日：

2016-08-03

公开(公告)号：

CN108027293A

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

金野雄志菊地广宫岛健太郎出川宗里

申请人：

申请人地址：

日本茨城县

IPC主分类号：

G01L900

IPC分类号：

H01L2984

代理机构：

上海华诚知识产权代理有限公司 31300

代理人：

肖华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	授权	授权
2021-09-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01L 9/00 变更事项:专利权人变更前:日立汽车系统株式会社变更后:日立安斯泰莫株式会社变更事项:地址变更前:日本茨城县变更后:日本茨城县
2018-05-11	公开	公开
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 9/00 申请日:20160803

共 50 条

[1]

半导体传感器及其制造方法 [P].

田中昌明 .

中国专利 :CN109562545A ,2019-04-02

[2]

半导体传感器及其制造方法 [P].

柴田佳彦 ;

井濑修史 .

中国专利 :CN1754270A ,2006-03-29

[3]

半导体传感器及其制造方法 [P].

安达佳孝 ;

井上胜之 .

中国专利 :CN101825506A ,2010-09-08

[4]

半导体传感器及其制造方法 [P].

花冈美咲 ;

秦久敏 .

日本专利 :CN117480365A ,2024-01-30

[5]

制造半导体传感器装置的方法和半导体传感器装置 [P].

O·文恩尼克 ;

E·P·A·M·巴克斯 ;

A·L·鲁斯特 .

中国专利 :CN101506648A ,2009-08-12

[6]

半导体传感器以及半导体传感器的制造方法 [P].

泷泽照夫 ;

近藤贵幸 ;

轰原正义 .

中国专利 :CN101493394A ,2009-07-29

[7]

半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器 [P].

内藤孝二郎 ;

长尾和真 ;

村濑清一郎 .

中国专利 :CN109844530A ,2019-06-04

[8]

半导体传感器装置及用于制造半导体传感器装置的方法 [P].

哈拉尔德·埃奇迈尔 ;

丹·雅各布斯 ;

马丁·法奇内利 ;

格哈德·佩哈尔兹 .

:CN117461148A ,2024-01-26

[9]

半导体传感器装置的壳体及其制造方法 [P].

T·杨策克 ;

B·斯塔德勒 ;

D·豪德奥 .

中国专利 :CN1244918A ,2000-02-16

[10]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

八幡直树 .

中国专利 :CN102706490A ,2012-10-03

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