半导体器件及硅光电倍增管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202021920362.X
申请日
2020-09-04
公开(公告)号
CN213716903U
公开(公告)日
2021-07-16
发明(设计)人
布莱恩·帕特里克·麦加维
申请人
申请人地址
美国亚利桑那州
IPC主分类号
H01L27144
IPC分类号
H01L31107
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
马芬;王琳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及硅光电倍增器 [P]. 
布莱恩·帕特里克·麦加维 ;
达里乌斯·皮奥特·帕鲁比克 .
中国专利 :CN212693089U ,2021-03-12
[2]
硅光电倍增管及光电器件 [P]. 
程传同 ;
张恒杰 ;
罗霂榃 ;
陈弘达 .
中国专利 :CN114899268B ,2024-08-02
[3]
硅光电倍增管及光电器件 [P]. 
程传同 ;
张恒杰 ;
罗霂榃 ;
陈弘达 .
中国专利 :CN114899268A ,2022-08-12
[4]
一种硅光电倍增管 [P]. 
刘鸿飞 ;
张毅宁 .
中国专利 :CN207602514U ,2018-07-10
[5]
磁性硬硅光电倍增管 [P]. 
V·舒尔茨 .
中国专利 :CN101910868A ,2010-12-08
[6]
硅基光电倍增管 [P]. 
郭昭 ;
梁成栋 ;
何亮亮 .
中国专利 :CN119698084A ,2025-03-25
[7]
光电倍增管 [P]. 
宋世鹏 ;
江耀纯 ;
卢育敏 ;
李广 .
中国专利 :CN2379910Y ,2000-05-24
[8]
一种硅光电倍增管模块 [P]. 
邢伟奇 ;
胡浩 .
中国专利 :CN117387666A ,2024-01-12
[9]
一种硅光电倍增管及dTOF测距芯片 [P]. 
徐涛 ;
李爽 ;
康杨森 ;
厉思杰 .
中国专利 :CN221008966U ,2024-05-24
[10]
硅光电倍增管能量分辨率 [P]. 
A·索恩 ;
T·弗拉克 .
中国专利 :CN101884087B ,2010-11-10