宽带激发光色可控纳米荧光体及其低温制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510031099.2

申请日：

2005-10-25

公开(公告)号：

CN1760325A

公开(公告)日：

2006-04-19

发明(设计)人：

余锡宾周平乐费晓燕

申请人：

申请人地址：

200234上海市徐汇区桂林路100号

IPC主分类号：

C09K1159

IPC分类号：

代理机构：

上海伯瑞杰知识产权代理有限公司

代理人：

吕伴

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101371718007 IPC(主分类):C09K 11/59 专利号:ZL2005100310992 申请日:20051025 授权公告日:20071024 终止日期:20111025
2007-10-24	授权	授权
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-19	公开	公开

共 50 条

[1]

宽带紫外激发的白色发光材料及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

杨广乾 ;

陶振卫 .

中国专利 :CN101139522A ,2008-03-12

[2]

一种蓝光激发的红光荧光体及其制备方法 [P].

余锡宾 ;

杨绪勇 ;

尹开忠 .

中国专利 :CN101298561A ,2008-11-05

[3]

荧光体的制备方法及包括该荧光体的发光装置 [P].

宋润秀 ;

李相爀 .

中国专利 :CN102154002B ,2011-08-17

[4]

荧光体、发光装置及荧光体的制造方法 [P].

江本秀幸 ;

田中基 ;

伊藤和弘 .

中国专利 :CN107429159A ,2017-12-01

[5]

荧光体及其制备方法、发光装置 [P].

李乾 ;

潘志锋 .

中国专利 :CN118834690A ,2024-10-25

[6]

纳米晶荧光体和被覆纳米晶荧光体及其制备方法 [P].

两轮达也 ;

斋藤肇 .

中国专利 :CN101161766A ,2008-04-16

[7]

荧光体、发光装置及其用途 [P].

江本秀幸 .

中国专利 :CN103347978A ,2013-10-09

[8]

暖发光色的荧光体及荧光显示器件 [P].

浜田拓哉 ;

板仓和彦 ;

白神崇生 ;

北川和典 ;

高梨浩和 ;

土岐均 .

中国专利 :CN1511922A ,2004-07-14

[9]

荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置 [P].

永富晶 ;

坂根坚之 .

中国专利 :CN102827603A ,2012-12-19

[10]

荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置 [P].

永富晶 ;

坂根坚之 .

中国专利 :CN101133137B ,2008-02-27

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