PMOS晶体管及其形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410325806.8
申请日
2014-07-09
公开(公告)号
CN105336776A
公开(公告)日
2016-02-17
发明(设计)人
禹国宾
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
张振军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
李家豪 .
中国专利 :CN100590817C ,2009-06-17
[2]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
刘金华 .
中国专利 :CN104465377B ,2015-03-25
[3]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
韩秋华 ;
肖莉红 .
中国专利 :CN106298527B ,2017-01-04
[4]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
郑喆 .
中国专利 :CN106298915A ,2017-01-04
[5]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
焦明洁 ;
宋化龙 ;
隋运奇 .
中国专利 :CN103426766B ,2013-12-04
[6]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
张彬 .
中国专利 :CN103871889A ,2014-06-18
[7]
PMOS晶体管及形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN103377941B ,2013-10-30
[8]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
谢欣云 ;
刘轶群 .
中国专利 :CN109950151B ,2019-06-28
[9]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
韩秋华 ;
隋运奇 .
中国专利 :CN103545202B ,2014-01-29
[10]
PMOS晶体管及其形成方法 [P]. 
徐建华 .
中国专利 :CN106571299A ,2017-04-19