存储节点接触结构的形成方法及半导体结构

被引:0
申请号
CN202011602147.X
申请日
2020-12-30
公开(公告)号
CN114695266A
公开(公告)日
2022-07-01
发明(设计)人
平尔萱 周震 张令国 白卫平
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L27108
代理机构
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
孙宝海;袁礼君
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
存储节点接触结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
平尔萱 ;
周震 ;
张令国 ;
白卫平 .
中国专利 :CN114695267A ,2022-07-01
[2]
位线接触结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
石夏雨 .
中国专利 :CN114725103B ,2024-05-17
[3]
位线接触结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
石夏雨 .
中国专利 :CN114725103A ,2022-07-08
[4]
半导体结构的形成方法及存储结构 [P]. 
宛强 ;
问明亮 ;
夏军 ;
刘洋浩 ;
刘涛 .
中国专利 :CN118338650A ,2024-07-12
[5]
半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法 [P]. 
鲍锡飞 ;
储瑶瑶 .
中国专利 :CN117750755A ,2024-03-22
[6]
栅极结构及形成方法、半导体结构及形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN103378134A ,2013-10-30
[7]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
刘晓阳 .
中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30
[8]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
神兆旭 ;
李阳 ;
郭俊伟 ;
尹悦 .
中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30
[9]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
李智 ;
张小燕 ;
陈亮 ;
杨林宏 .
中国专利 :CN117525111A ,2024-02-06
[10]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
邢程 ;
王清蕴 .
中国专利 :CN113314490A ,2021-08-27