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存储节点接触结构的形成方法及半导体结构
被引:0
申请号
:
CN202011602147.X
申请日
:
2020-12-30
公开(公告)号
:
CN114695266A
公开(公告)日
:
2022-07-01
发明(设计)人
:
平尔萱
周震
张令国
白卫平
申请人
:
申请人地址
:
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
:
H01L218242
IPC分类号
:
H01L27108
代理机构
:
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人
:
孙宝海;袁礼君
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20201230
2022-07-01
公开
公开
共 50 条
[1]
存储节点接触结构的形成方法及半导体结构
[P].
平尔萱
论文数:
0
引用数:
0
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0
平尔萱
;
周震
论文数:
0
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0
周震
;
张令国
论文数:
0
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0
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0
张令国
;
白卫平
论文数:
0
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0
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0
白卫平
.
中国专利
:CN114695267A
,2022-07-01
[2]
位线接触结构的形成方法及半导体结构
[P].
石夏雨
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
石夏雨
.
中国专利
:CN114725103B
,2024-05-17
[3]
位线接触结构的形成方法及半导体结构
[P].
石夏雨
论文数:
0
引用数:
0
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0
石夏雨
.
中国专利
:CN114725103A
,2022-07-08
[4]
半导体结构的形成方法及存储结构
[P].
宛强
论文数:
0
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
宛强
;
问明亮
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
问明亮
;
夏军
论文数:
0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
夏军
;
刘洋浩
论文数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
刘洋浩
;
刘涛
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0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
刘涛
.
中国专利
:CN118338650A
,2024-07-12
[5]
半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法
[P].
鲍锡飞
论文数:
0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
鲍锡飞
;
储瑶瑶
论文数:
0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
储瑶瑶
.
中国专利
:CN117750755A
,2024-03-22
[6]
栅极结构及形成方法、半导体结构及形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
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0
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0
赵猛
.
中国专利
:CN103378134A
,2013-10-30
[7]
半导体结构及半导体结构的形成方法
[P].
刘晓阳
论文数:
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0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
刘晓阳
.
中国专利
:CN117956783A
,2024-04-30
[8]
半导体结构及半导体结构的形成方法
[P].
神兆旭
论文数:
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0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
神兆旭
;
李阳
论文数:
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
李阳
;
郭俊伟
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
郭俊伟
;
尹悦
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
尹悦
.
中国专利
:CN117954420A
,2024-04-30
[9]
半导体结构及半导体结构的形成方法
[P].
李智
论文数:
0
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0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
李智
;
张小燕
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
张小燕
;
陈亮
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
陈亮
;
杨林宏
论文数:
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机构:
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
杨林宏
.
中国专利
:CN117525111A
,2024-02-06
[10]
半导体结构及半导体结构的形成方法
[P].
邢程
论文数:
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邢程
;
王清蕴
论文数:
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0
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0
王清蕴
.
中国专利
:CN113314490A
,2021-08-27
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