厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610098372.8

申请日：

2006-12-15

公开(公告)号：

CN1996616A

公开(公告)日：

2007-07-11

发明(设计)人：

孙伟锋李海松李杰易扬波徐申夏晓娟时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2704 H01L21336 H01L21822

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11	公开	公开
2007-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

厚栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

李海松 ;

李杰 ;

易扬波 ;

徐申 ;

夏晓娟 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200997402Y ,2007-12-26

[2]

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1976057A ,2007-06-06

[3]

高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1988176A ,2007-06-27

[4]

高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN2938408Y ,2007-08-22

[5]

双栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

刘昊 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1527401A ,2004-09-08

[6]

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

鲍嘉明 ;

贾侃 ;

李海松 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101217163A ,2008-07-09

[7]

沟槽高压N型金属氧化物半导体管及其制备工艺 [P].

孙伟锋 ;

吴虹 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101026190A ,2007-08-29

[8]

沟槽高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

刘侠 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201038163Y ,2008-03-19

[9]

高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

李海松 ;

钱钦松 ;

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101217162A ,2008-07-09

[10]

高压N型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200941387Y ,2007-08-29

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