一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110629862.0

申请日：

2021-06-07

公开(公告)号：

CN113322522B

公开(公告)日：

2021-08-31

发明(设计)人：

兰长勇邹瑞森李春

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2964 C30B2502 C23C16448 C23C1630

代理机构：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	授权	授权
2021-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20210607
2021-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大面积高质量完全单层的二硫化钨的制备方法 [P].

任文才 ;

高旸 ;

马来鹏 ;

马腾 ;

成会明 .

中国专利 :CN106567055A ,2017-04-19

[2]

一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法 [P].

张永哲 ;

王佳蕊 ;

马洋 ;

安博星 ;

李毓佛 ;

严辉 .

中国专利 :CN111041450A ,2020-04-21

[3]

一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品 [P].

石彪 ;

王德强 ;

周彪 ;

冯双龙 ;

查克.特里里 ;

何石轩 ;

谢婉谊 ;

方绍熙 ;

周大明 ;

梁丽媛 ;

周硕 ;

唐鹏 ;

王赟姣 ;

殷博华 .

中国专利 :CN108559972A ,2018-09-21

[4]

制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 [P].

魏威 ;

陈鑫 ;

张克难 ;

张天宁 ;

戴宁 .

中国专利 :CN105887015A ,2016-08-24

[5]

一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法 [P].

孟庆远 ;

贠江妮 ;

黄任静 ;

张艳妮 ;

余润伟 ;

杨芷 ;

陈旭辉 .

中国专利 :CN110042363A ,2019-07-23

[6]

在钛酸锶衬底上生长大面积二硫化钨薄膜的方法 [P].

廖霞霞 ;

李盛兵 ;

胡翔 ;

周杨波 .

中国专利 :CN117702261A ,2024-03-15

[7]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[8]

一种二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN107557754A ,2018-01-09

[9]

一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

杨培志 ;

马春阳 ;

杨雯 ;

杜凯翔 ;

申开远 .

中国专利 :CN110607516A ,2019-12-24

[10]

一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件 [P].

张紫璇 ;

王浩林 ;

耿龙飞 ;

李潇潇 ;

刘政 ;

白艳 ;

王琛泽 ;

周小伟 ;

谢涌 ;

吴巍伟 ;

李培咸 .

中国专利 :CN114990698B ,2024-06-07

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