氮化镓器件封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010171081.7

申请日：

2020-03-12

公开(公告)号：

CN113394209B

公开(公告)日：

2021-09-14

发明(设计)人：

窦娟娟李成袁理

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市崂山区松岭路169号青岛国际创新园B座402

IPC主分类号：

H01L2518

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

徐州卓冠知识产权代理事务所(普通合伙) 32668

代理人：

李先林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-13	授权	授权
2021-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/18 申请日:20200312
2021-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓晶体管与硅晶体管集成的方法 [P].

吴立枢 ;

孔月婵 .

中国专利 :CN107195627A ,2017-09-22

[2]

基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 [P].

张春福 ;

张家祺 ;

武毅畅 ;

陈大正 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110610936B ,2019-12-24

[3]

集成器件及其封装方法 [P].

王星月 ;

田文 .

中国专利 :CN119400784A ,2025-02-07

[4]

一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法 [P].

尹宝堂 ;

刘军 ;

董雱 ;

邢艳 .

中国专利 :CN111211103A ,2020-05-29

[5]

氮化镓超结器件 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103311292A ,2013-09-18

[6]

一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构 [P].

窦祥峰 .

中国专利 :CN109962101B ,2024-04-16

[7]

一种氮化镓MISHEMT功率器件的结构 [P].

窦祥峰 .

中国专利 :CN211017079U ,2020-07-14

[8]

基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 [P].

张春福 ;

张家祺 ;

武毅畅 ;

陈大正 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110634861B ,2019-12-31

[9]

氮化镓功率器件封装结构 [P].

刘煦冉 ;

程海英 ;

周泽阳 .

中国专利 :CN216288437U ,2022-04-12

[10]

一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件 [P].

王鹏飞 ;

刘晓勇 ;

黄泓帆 ;

张卫 .

中国专利 :CN104183594A ,2014-12-03

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