氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780047412.9

申请日：

2007-12-20

公开(公告)号：

CN101573804A

公开(公告)日：

2009-11-04

发明(设计)人：

三木久幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

段承恩;田欣

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101523802629 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007800474129 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130125
2009-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-05	授权	授权
2009-11-04	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101427390B ,2009-05-06

[2]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯 [P].

篠原裕直 ;

村木典孝 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101405879B ,2009-04-08

[3]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101331617A ,2008-12-24

[4]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

村木典孝 ;

渡边宗隆 .

中国专利 :CN101467272A ,2009-06-24

[5]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101449397A ,2009-06-03

[6]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

加藤亮 ;

吉田俊治 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102484180A ,2012-05-30

[7]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

加藤亮 ;

藤金正树 ;

井上彰 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102576786A ,2012-07-11

[8]

氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

李钟览 .

中国专利 :CN101084583A ,2007-12-05

[9]

氮化镓系化合物半导体的制造方法和半导体发光元件 [P].

加藤亮 ;

藤金正树 ;

井上彰 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102318039A ,2012-01-11

[10]

氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件 [P].

松下保彦 ;

中泽崇一 .

中国专利 :CN101147303A ,2008-03-19

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