一种斜沟槽超势垒整流器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310245516.8

申请日：

2013-06-19

公开(公告)号：

CN103337523B

公开(公告)日：

2013-10-02

发明(设计)人：

殷允超丁磊

申请人：

申请人地址：

215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329

代理机构：

张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209

代理人：

张玉平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101535526315 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2013102455168 申请日:20130619
2016-03-02	授权	授权
2013-10-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种斜沟槽超势垒整流器件 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN203339171U ,2013-12-11

[2]

斜沟槽肖特基势垒整流器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103325846A ,2013-09-25

[3]

斜沟槽肖特基势垒整流器件 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN203300654U ,2013-11-20

[4]

一种超势垒半导体整流器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

丁磊 ;

叶鹏 ;

程月东 .

中国专利 :CN101853850B ,2010-10-06

[5]

一种超势垒整流器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

唐红祥 ;

张新 .

中国专利 :CN104810408A ,2015-07-29

[6]

一种超势垒整流器件及其制造方法 [P].

李风浪 .

中国专利 :CN106684127A ,2017-05-17

[7]

一种沟槽式超势垒整流器件及其制造方法 [P].

李风浪 .

中国专利 :CN106784006A ,2017-05-31

[8]

一种MOS型超势垒整流器及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108461547A ,2018-08-28

[9]

一种MOS型超势垒整流器及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108461547B ,2024-02-02

[10]

一种超势垒半导体整流器件 [P].

朱袁正 ;

丁磊 ;

叶鹏 ;

程月东 .

中国专利 :CN201829501U ,2011-05-11

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