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一种多晶硅铸锭用氮化硅涂层的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610932533.2
申请日
:
2016-11-01
公开(公告)号
:
CN106400109A
公开(公告)日
:
2017-02-15
发明(设计)人
:
张嵘
刘久明
申请人
:
申请人地址
:
050000 河北省石家庄市桥西区新石北路368号金石园区4号楼东门302室
IPC主分类号
:
C30B2806
IPC分类号
:
C30B2906
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-02-15
公开
公开
2020-05-22
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 28/06 申请公布日:20170215
共 50 条
[1]
一种多晶硅铸锭用硅夹层氮化硅涂层的制备方法
[P].
张嵘
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张嵘
;
刘久明
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刘久明
;
颜记朋
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颜记朋
.
中国专利
:CN105862123A
,2016-08-17
[2]
一种多晶硅铸锭氮化硅涂层坩埚及涂层制备方法
[P].
蒋兴贤
论文数:
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蒋兴贤
.
中国专利
:CN104911703A
,2015-09-16
[3]
一种多晶硅铸锭用坩埚的氮化硅涂层及其制备方法
[P].
李健
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李健
;
李聪
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李聪
;
谢炎
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谢炎
;
高源
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高源
.
中国专利
:CN109020626B
,2018-12-18
[4]
一种多晶硅铸锭用石英坩埚的氮化硅涂层制作方法
[P].
冷金标
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冷金标
;
龙昭钦
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龙昭钦
;
周慧敏
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周慧敏
;
周成
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周成
;
毛亮亮
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毛亮亮
;
徐志群
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徐志群
.
中国专利
:CN107417301A
,2017-12-01
[5]
多晶硅铸锭石英坩埚氮化硅涂层用粘结剂及其制备方法
[P].
朱斌
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朱斌
;
仵靖
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仵靖
.
中国专利
:CN107312432B
,2017-11-03
[6]
一种多晶硅铸锭用高效氮化硅粉的制备方法
[P].
郭大为
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郭大为
;
吕东
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吕东
;
宋丽岑
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宋丽岑
;
柏小龙
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柏小龙
;
孙洪亮
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孙洪亮
;
郭大荣
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郭大荣
.
中国专利
:CN104532344A
,2015-04-22
[7]
氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭的制造方法
[P].
王丸卓司
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王丸卓司
;
柴田耕司
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柴田耕司
;
山尾猛
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山尾猛
;
山田哲夫
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0
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山田哲夫
.
中国专利
:CN110062745A
,2019-07-26
[8]
一种低氧含量多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法
[P].
张嵘
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张嵘
;
刘久明
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0
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刘久明
.
中国专利
:CN106637401A
,2017-05-10
[9]
氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭的制造方法
[P].
王丸卓司
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王丸卓司
;
柴田耕司
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柴田耕司
;
山尾猛
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山尾猛
;
山田哲夫
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山田哲夫
.
中国专利
:CN110049946A
,2019-07-23
[10]
多晶硅铸锭用氮化硅结合熔融石英坩埚的制备方法
[P].
姜欣
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姜欣
;
王刚
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王刚
;
王自强
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王自强
;
王冬冬
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王冬冬
;
周慧君
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周慧君
.
中国专利
:CN105541311B
,2016-05-04
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