一种多晶硅铸锭用氮化硅涂层的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610932533.2
申请日
2016-11-01
公开(公告)号
CN106400109A
公开(公告)日
2017-02-15
发明(设计)人
张嵘 刘久明
申请人
申请人地址
050000 河北省石家庄市桥西区新石北路368号金石园区4号楼东门302室
IPC主分类号
C30B2806
IPC分类号
C30B2906
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种多晶硅铸锭用硅夹层氮化硅涂层的制备方法 [P]. 
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[2]
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[3]
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李聪 ;
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[4]
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龙昭钦 ;
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[6]
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吕东 ;
宋丽岑 ;
柏小龙 ;
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氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭的制造方法 [P]. 
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[8]
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张嵘 ;
刘久明 .
中国专利 :CN106637401A ,2017-05-10
[9]
氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭的制造方法 [P]. 
王丸卓司 ;
柴田耕司 ;
山尾猛 ;
山田哲夫 .
中国专利 :CN110049946A ,2019-07-23
[10]
多晶硅铸锭用氮化硅结合熔融石英坩埚的制备方法 [P]. 
姜欣 ;
王刚 ;
王自强 ;
王冬冬 ;
周慧君 .
中国专利 :CN105541311B ,2016-05-04