一种低压熔断器

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专利类型
实用新型
申请号
CN201620022005.9
申请日
2016-01-11
公开(公告)号
CN205354992U
公开(公告)日
2016-06-29
发明(设计)人
王厚平 王鹍
申请人
申请人地址
710000 陕西省西安市沣惠北路任家口第三工业园区五号
IPC主分类号
H01H85044
IPC分类号
H01H85055
代理机构
代理人
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
一种低压熔断器 [P]. 
戴谋 ;
戴超 .
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赵志成 ;
严心亮 ;
何旭斌 .
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李彦强 ;
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一种低压熔断器 [P]. 
杨漫雪 ;
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