一种超高透明导电性ITO薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111009759.2

申请日：

2021-08-31

公开(公告)号：

CN113816615A

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

任洋刘萍刘荣欣赵高扬

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

IPC主分类号：

C03C1723

IPC分类号：

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

徐瑶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/23 申请日:20210831
2021-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

ITO薄膜以及透明导电性薄膜 [P].

河添昭造 .

中国专利 :CN110648783A ,2020-01-03

[2]

适用于柔性器件的ITO薄膜及其制备方法 [P].

任洋 ;

刘萍 ;

张橙 ;

刘荣欣 ;

赵高扬 .

中国专利 :CN114534990A ,2022-05-27

[3]

透明导电性薄膜 [P].

藤野望 ;

加藤大贵 ;

梨木智刚 .

中国专利 :CN204706006U ,2015-10-14

[4]

透明导电性薄膜 [P].

藤野望 ;

加藤大贵 ;

梨木智刚 .

中国专利 :CN105302358A ,2016-02-03

[5]

透明导电性薄膜及其制造方法 [P].

佐佐和明 ;

山本祐辅 ;

待永广宣 .

中国专利 :CN104919542B ,2015-09-16

[6]

ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法 [P].

宋世金 ;

朱刘 ;

任丽 .

中国专利 :CN111785440B ,2020-10-16

[7]

新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法 [P].

王洪 ;

胡晓龙 ;

文茹莲 .

中国专利 :CN108666399A ,2018-10-16

[8]

一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法 [P].

赵冠楠 ;

严彪 ;

张永 ;

郑增 ;

牛俊超 .

中国专利 :CN104962871B ,2015-10-07

[9]

透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

黄新东 ;

刘天人 .

中国专利 :CN104376895A ,2015-02-25

[10]

一种透明导电氧化物ITO薄膜及其制备方法和应用 [P].

雷琦 ;

胡动力 ;

章金兵 .

中国专利 :CN119133307A ,2024-12-13

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