一种Si衬底InGaN可见光探测器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921214706.2

申请日：

2019-07-30

公开(公告)号：

CN212011003U

公开(公告)日：

2020-11-24

发明(设计)人：

王文樑李国强孔德麒杨昱辉

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L31108

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;隆翔鹰

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

孔德麒 ;

杨昱辉 .

中国专利 :CN110444626A ,2019-11-12

[2]

一种Si衬底GaSe可见光探测器 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 .

中国专利 :CN210805799U ,2020-06-19

[3]

一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 .

中国专利 :CN110690311B ,2024-07-05

[4]

一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 .

中国专利 :CN110690311A ,2020-01-14

[5]

一种InGaN基可见光探测器 [P].

刘梦宇 ;

刘琴 ;

王小兰 ;

张建立 ;

潘拴 ;

杨小霞 ;

刘国凡 .

中国专利 :CN120512933A ,2025-08-19

[6]

一种InGaN可见光探测器及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

孔德麒 ;

李国强 .

中国专利 :CN114551616A ,2022-05-27

[7]

一种InGaN可见光探测器及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

孔德麒 ;

王文樑 .

中国专利 :CN114883433A ,2022-08-09

[8]

一种柔性InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

陈亮 ;

王文樑 ;

郝曲曲 .

中国专利 :CN119730416A ,2025-03-28

[9]

一种InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

曹犇 ;

唐鑫 .

中国专利 :CN115863459B ,2024-09-17

[10]

可见光探测器及制备方法 [P].

刘兴钊 ;

刘倢瑃 ;

任羿烜 ;

李雨麒 .

中国专利 :CN113206168A ,2021-08-03

← 1 2 3 4 5 →