一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法

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申请号
CN202210109306.5
申请日
2022-01-28
公开(公告)号
CN114415400A
公开(公告)日
2022-04-29
发明(设计)人
蔡鑫伦 潘颖
申请人
申请人地址
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
IPC主分类号
G02F1035
IPC分类号
G02B2728 G02F121 G02F1225 G02F101 G02B634 G02B6136
代理机构
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
禹小明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法 [P]. 
蔡鑫伦 ;
潘颖 .
中国专利 :CN114415400B ,2024-11-01
[2]
基于双光学模式调制的偏振无关电光调制器及其制备方法 [P]. 
谭贺贇 ;
蔡鑫伦 .
中国专利 :CN117572672A ,2024-02-20
[3]
一种宽带的薄膜铌酸锂偏振无关电光调制器和调制方法 [P]. 
葛仁友 ;
陈必更 ;
虞绍良 .
中国专利 :CN118151418A ,2024-06-07
[4]
一种宽带的薄膜铌酸锂偏振无关电光调制器和调制方法 [P]. 
葛仁友 ;
陈必更 ;
虞绍良 .
中国专利 :CN118151418B ,2024-07-23
[5]
基于薄膜铌酸锂的电光调制器及其制备方法 [P]. 
万青 ;
赵蕊 ;
翁海中 .
中国专利 :CN119376125A ,2025-01-28
[6]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN115079450A ,2022-09-20
[7]
基于薄膜铌酸锂的高效电光调制器及方法 [P]. 
陈琪 ;
郭全兵 ;
徐红星 .
中国专利 :CN117687232A ,2024-03-12
[8]
一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P]. 
刘柳 ;
陈耿鑫 ;
阮子良 ;
薛煜 .
中国专利 :CN112764246B ,2021-05-07
[9]
一种薄膜铌酸锂调制器 [P]. 
国伟华 ;
唐永前 ;
陆巧银 .
中国专利 :CN114280820A ,2022-04-05
[10]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06