半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810988088.0

申请日：

2018-08-28

公开(公告)号：

CN109427822A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

藤卷浩和金子恒一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L29778 H01L2978 H01L2186 H01L21336 H01L21335

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;闫小龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	公开	公开
2020-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20180828

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小川翔平 ;

藤野纯司 ;

石川悟 ;

重本拓巳 ;

石山祐介 .

中国专利 :CN111433910A ,2020-07-17

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

乡原广道 ;

两角朗 ;

山田教文 .

中国专利 :CN104247009A ,2014-12-24

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

米田裕 ;

菊池正雄 .

中国专利 :CN109075149A ,2018-12-21

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中田洋辅 ;

境纪和 ;

佐藤祐司 ;

横山吉典 .

日本专利 :CN117497522A ,2024-02-02

[5]

半导体装置、以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥卓也 ;

大坪义贵 ;

益本宽之 .

中国专利 :CN110071071A ,2019-07-30

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

铃木健司 .

中国专利 :CN105304578A ,2016-02-03

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

平松星纪 ;

寺井护 .

中国专利 :CN103250242A ,2013-08-14

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

矢野佑树 ;

松冈毅 .

日本专利 :CN118541795A ,2024-08-23

[9]

半导体装置以及半导体装置制造方法 [P].

高桥秀明 ;

唐泽达也 ;

坂本阳 .

中国专利 :CN103890934B ,2014-06-25

[10]

半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

西槙介 ;

森昌吾 .

中国专利 :CN103296019A ,2013-09-11

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