一种提升P型双面电池双面率的背膜结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922368456.4

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN211208454U

公开(公告)日：

2020-08-07

发明(设计)人：

胡茂界丁晨陈刚

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L31048 H01L31068 H01L3118

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

金丽英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提升P型双面电池双面率的背膜及其制备方法 [P].

胡茂界 ;

丁晨 ;

陈刚 .

中国专利 :CN110957378A ,2020-04-03

[2]

一种降低双面PERC电池EL发黑的背膜结构 [P].

朱海荣 ;

彭平 ;

高志强 ;

李旭杰 ;

夏中高 .

中国专利 :CN220604697U ,2024-03-15

[3]

一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构 [P].

胡茂界 ;

丁晨 ;

陈刚 .

中国专利 :CN211654848U ,2020-10-09

[4]

一种背膜结构及双面PERC电池 [P].

曹芳 ;

叶晓亚 ;

周思洁 ;

邹帅 ;

王栩生 .

中国专利 :CN214542248U ,2021-10-29

[5]

一种背膜结构及双面PERC电池 [P].

曹芳 ;

叶晓亚 ;

周思洁 ;

邹帅 ;

王栩生 .

中国专利 :CN214705940U ,2021-11-12

[6]

一种高双面率的太阳能电池 [P].

庞瑞卿 ;

吕闯 ;

刘海泉 ;

杨二存 ;

时宝 ;

林纲正 ;

陈刚 .

中国专利 :CN215869402U ,2022-02-18

[7]

高双面率P型单晶硅双面电池结构 [P].

庄宇峰 ;

万义茂 ;

崔艳峰 ;

袁声召 ;

于元元 ;

胡玉婷 .

中国专利 :CN210837775U ,2020-06-23

[8]

一种新型晶硅双面电池背膜结构及制备方法 [P].

杨飞飞 ;

李雪方 ;

张波 ;

张云鹏 ;

郭丽 ;

吕爱武 ;

杜泽霖 ;

李陈阳 .

中国专利 :CN111628011A ,2020-09-04

[9]

一种提高双面PERC背面效率的背膜结构及其制备方法和应用 [P].

曹芳 ;

叶晓亚 ;

周思洁 ;

邹帅 ;

王栩生 .

中国专利 :CN114420766B ,2024-11-26

[10]

一种提高双面PERC背面效率的背膜结构及其制备方法和应用 [P].

曹芳 ;

叶晓亚 ;

周思洁 ;

邹帅 ;

王栩生 .

中国专利 :CN114420766A ,2022-04-29

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