高压BCD工艺中高压器件的隔离结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220247475.7

申请日：

2012-05-25

公开(公告)号：

CN202616219U

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

闻永祥张邵华江宇雷孙样慧俞国强

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陈亮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	授权	授权
2022-06-10	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/76 申请日:20120525 授权公告日:20121219

共 50 条

[1]

高压BCD工艺中高压器件的隔离结构及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

张邵华 ;

江宇雷 ;

孙样慧 ;

俞国强 .

中国专利 :CN102664161A ,2012-09-12

[2]

BCD工艺中的高压MOS晶体管结构 [P].

闻永祥 ;

岳志恒 ;

孙样慧 ;

陈洪雷 .

中国专利 :CN202159671U ,2012-03-07

[3]

BCD工艺中的双向高压MOS管 [P].

闻永祥 ;

岳志恒 ;

陈洪雷 .

中国专利 :CN202363464U ,2012-08-01

[4]

基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺 [P].

胡浩 ;

宁小霖 .

中国专利 :CN103840008A ,2014-06-04

[5]

高压BCD工艺中集成的浮动盆隔离结构 [P].

吕宇强 ;

邵凯 ;

陈雪萌 ;

永福 ;

杨海波 .

中国专利 :CN102496624A ,2012-06-13

[6]

横向高压半导体器件的耐高压结构 [P].

潘光燃 ;

石金成 ;

文燕 ;

王焜 ;

高振杰 .

中国专利 :CN105514146B ,2016-04-20

[7]

一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件 [P].

吕宇强 ;

邵凯 ;

陈雪萌 ;

杨海波 .

中国专利 :CN102664181A ,2012-09-12

[8]

高压BCD结构中环形隔离结构及其制作方法 [P].

杨文清 ;

金锋 ;

王佰胜 .

中国专利 :CN113921458A ,2022-01-11

[9]

中高压CMOS器件及其制作方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111446298A ,2020-07-24

[10]

BCD工艺中的高压MOS晶体管结构及其制造方法 [P].

闻永祥 ;

岳志恒 ;

孙样慧 ;

陈洪雷 .

中国专利 :CN102263034A ,2011-11-30

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