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背照式CMOS图像传感器的形成方法
被引:0
申请号
:
CN202210226990.5
申请日
:
2022-03-08
公开(公告)号
:
CN115548037A
公开(公告)日
:
2022-12-30
发明(设计)人
:
范晓
王函
陈广龙
申请人
:
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
:
H01L27146
IPC分类号
:
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-01-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20220308
2022-12-30
公开
公开
共 50 条
[1]
背照式CMOS图像传感器的形成方法
[P].
范晓
论文数:
0
引用数:
0
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0
范晓
.
中国专利
:CN115548038A
,2022-12-30
[2]
背照式CMOS图像传感器及其形成方法
[P].
王冲
论文数:
0
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0
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0
王冲
;
奚民伟
论文数:
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0
奚民伟
.
中国专利
:CN104752448A
,2015-07-01
[3]
背照式CMOS图像传感器及其形成方法
[P].
伏广才
论文数:
0
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0
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0
伏广才
;
杨建国
论文数:
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0
杨建国
.
中国专利
:CN105655361A
,2016-06-08
[4]
背照式CMOS图像传感器及其形成方法
[P].
庞浩
论文数:
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庞浩
;
秋沉沉
论文数:
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0
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0
秋沉沉
.
中国专利
:CN109065557A
,2018-12-21
[5]
背照式CMOS图像传感器及其形成方法
[P].
余航
论文数:
0
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
余航
;
范晓
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
范晓
;
陈广龙
论文数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈广龙
.
中国专利
:CN118231429A
,2024-06-21
[6]
背照式CMOS图像传感器及其形成方法
[P].
王唯科
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王唯科
;
林绮涵
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林绮涵
;
涂宗儒
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涂宗儒
;
萧玉焜
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萧玉焜
;
张志光
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张志光
.
中国专利
:CN104167420A
,2014-11-26
[7]
背照式CMOS图像传感器
[P].
不公告发明人
论文数:
0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN106129074B
,2016-11-16
[8]
背照式图像传感器的形成方法
[P].
张超
论文数:
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机构:
格科微电子(上海)有限公司
格科微电子(上海)有限公司
张超
;
许乐
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机构:
格科微电子(上海)有限公司
格科微电子(上海)有限公司
许乐
.
中国专利
:CN117832232A
,2024-04-05
[9]
背照式CMOS图像传感器的制备方法
[P].
张进创
论文数:
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张进创
;
管术俊
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管术俊
;
陈立峰
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0
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陈立峰
;
叶文源
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叶文源
.
中国专利
:CN107316878A
,2017-11-03
[10]
背照式CMOS图像传感器
[P].
张简旭珂
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张简旭珂
;
简荣亮
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简荣亮
;
吴斯安
论文数:
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0
吴斯安
.
中国专利
:CN103165633A
,2013-06-19
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