一种多孔二氧化铅材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310542693.2

申请日：

2013-11-05

公开(公告)号：

CN103540950B

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

陈松

申请人：

申请人地址：

430056 湖北省武汉市武汉经济技术开发区沌口小区特2号

IPC主分类号：

C25B100

IPC分类号：

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

苏敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576172953 IPC(主分类):C25B 1/00 专利申请号:2013105426932 申请日:20131105
2019-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25B 1/00 申请日:20131105 授权公告日:20151230 终止日期:20181105
2015-12-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二氧化铅多孔电极的制备方法 [P].

王景平 ;

李翔 ;

牛育华 ;

李文汉 ;

刘正安 ;

郭凌华 .

中国专利 :CN1924102A ,2007-03-07

[2]

一种多孔钛基二氧化铅电极的制备方法 [P].

张永昊 ;

张芯婉 ;

王慧 ;

宋夫交 ;

严金龙 .

中国专利 :CN111675289A ,2020-09-18

[3]

多孔基体二氧化铅电极的制备方法 [P].

王岚 ;

卢鹏 ;

王龙耀 ;

陈群 .

中国专利 :CN105887131A ,2016-08-24

[4]

钛基二氧化铅电极制备方法 [P].

李征 .

中国专利 :CN104651895A ,2015-05-27

[5]

一种两相多孔二氧化铅复合电极的制备方法 [P].

魏杰 ;

王东田 ;

黄勇 ;

郭新艳 .

中国专利 :CN102173480A ,2011-09-07

[6]

一种钛基二氧化铅阳极的制备方法 [P].

代春龙 ;

邹宗海 ;

魏明勇 .

中国专利 :CN108914122B ,2018-11-30

[7]

一种β-型二氧化铅纳米颗粒的制备方法 [P].

李长生 ;

王芳菲 ;

唐华 ;

李国伟 ;

曹可生 .

中国专利 :CN101712487B ,2010-05-26

[8]

二氧化铅电极中层制备方法 [P].

李征 .

中国专利 :CN104651876A ,2015-05-27

[9]

二氧化铅电极的制备装置 [P].

陈述声 ;

肖书军 .

中国专利 :CN206244889U ,2017-06-13

[10]

一种新型二氧化铅电极及其制备方法 [P].

侯惠奇 ;

董文博 ;

张仁熙 ;

徐莺 .

中国专利 :CN1635183A ,2005-07-06

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