一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111267936.7

申请日：

2021-10-27

公开(公告)号：

CN114005789A

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

颜宇颜妮娜

申请人：

申请人地址：

518100 广东省深圳市龙岗区坂田街道马安堂社区布龙路335号龙景科技园D栋201(201-14)

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589

代理人：

李朦;叶垚平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20211027
2022-02-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法 [P].

颜宇 ;

颜妮娜 .

中国专利 :CN114005789B ,2025-08-26

[2]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

金梦静 ;

石磊 .

中国专利 :CN114023647A ,2022-02-08

[3]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

张伟 ;

田甜 ;

张小兵 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN114784110A ,2022-07-22

[4]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制作方法 [P].

兰总金 .

中国专利 :CN120769521A ,2025-10-10

[5]

屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法 [P].

潘光燃 .

中国专利 :CN110429033A ,2019-11-08

[6]

一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

孙健 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN215266310U ,2021-12-21

[7]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构和制作方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119208381A ,2024-12-27

[8]

屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

蒋容 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN111223930A ,2020-06-02

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法 [P].

廖文龙 ;

张广胜 ;

张培健 ;

朱坤峰 ;

杨伟 ;

洪敏 ;

易孝辉 ;

钱坤 ;

唐新悦 .

中国专利 :CN119653842A ,2025-03-18

[10]

屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114023812A ,2022-02-08

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