一种基于碳布原位生长三氧化钨超级电容器电极材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810044071.X
申请日
2018-01-10
公开(公告)号
CN108364794A
公开(公告)日
2018-08-03
发明(设计)人
杨东江 邹译慧 阴卓成 孙瑾
申请人
申请人地址
266071 山东省青岛市宁夏路308号
IPC主分类号
H01G1124
IPC分类号
H01G1130 H01G1132 H01G1146 H01G1186
代理机构
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法律状态
公开
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共 50 条
[1]
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[9]
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