反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202120117254.7
申请日
2021-01-15
公开(公告)号
CN214313231U
公开(公告)日
2021-09-28
发明(设计)人
封波 彭翔 金力
申请人
申请人地址
330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
IPC主分类号
H01L3346
IPC分类号
H01L3314
代理机构
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法律状态
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共 50 条
[1]
GaN基LED芯片的ESD防护结构 [P]. 
郑智斌 ;
陶海青 .
中国专利 :CN201369340Y ,2009-12-23
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GaN基LED芯片 [P]. 
梁伏波 ;
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黄涛 .
中国专利 :CN211789072U ,2020-10-27
[3]
垂直结构LED芯片 [P]. 
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中国专利 :CN220984550U ,2024-05-17
[4]
GaN基LED外延结构 [P]. 
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[5]
GaN基LED垂直芯片结构及制备方法 [P]. 
童玲 ;
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[6]
一种GaN基LED芯片封装结构 [P]. 
闫怀宝 ;
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中国专利 :CN217387197U ,2022-09-06
[7]
一种垂直结构GaN基LED芯片 [P]. 
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中国专利 :CN202025791U ,2011-11-02
[8]
平板倒装焊GaN基LED芯片结构 [P]. 
沈燕 ;
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徐化勇 ;
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[9]
GaN基LED外延结构 [P]. 
刘恒山 ;
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中国专利 :CN204809246U ,2015-11-25
[10]
GaN基LED垂直结构芯片及其制备方法 [P]. 
童玲 .
中国专利 :CN109713101A ,2019-05-03