器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统

被引：0

申请号：

CN202210762679.2

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115146559A

公开(公告)日：

2022-10-04

发明(设计)人：

李兴冀杨剑群荆宇航徐晓东吕钢

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

G06F3028

IPC分类号：

G06F3025 G06F11110 G06F11914

代理机构：

北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473

代理人：

丁晴晴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

荆宇航 ;

徐晓东 ;

吕钢 .

中国专利 :CN115146559B ,2025-04-25

[2]

基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

荆宇航 ;

李胡阳 ;

徐晓东 .

中国专利 :CN115169207B ,2025-11-28

[3]

不同能量入射粒子辐照器件的缺陷演化仿真方法及系统 [P].

李兴冀 ;

荆宇航 ;

徐晓东 ;

魏亚东 ;

刘中利 .

中国专利 :CN115146458A ,2022-10-04

[4]

基于分子动力学仿真的缺陷消除方法及装置、设备 [P].

康强 ;

孔宪光 ;

常建涛 ;

张思超 .

中国专利 :CN118155732A ,2024-06-07

[5]

不同掺杂体系半导体器件的缺陷演化模拟方法及系统 [P].

李兴冀 ;

杨剑群 ;

徐晓东 ;

吕钢 ;

李伟奇 .

中国专利 :CN115206442B ,2025-09-16

[6]

基于分子动力学仿真的非晶合金中的缺陷表征方法 [P].

陈建超 ;

宋光明 ;

安小广 ;

金蒙 .

中国专利 :CN109858110B ,2019-06-07

[7]

一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统 [P].

李兴冀 ;

荆宇航 ;

杨剑群 ;

徐晓东 ;

刘中利 .

中国专利 :CN115186536B ,2025-05-30

[8]

一种基于机器学习分子动力学的辐照损伤仿真系统及方法 [P].

黄海 ;

刘桐赫 ;

马隆景瑞 .

中国专利 :CN116467894B ,2024-08-20

[9]

半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统 [P].

李兴冀 ;

荆宇航 ;

杨剑群 ;

刘中利 ;

魏亚东 .

中国专利 :CN115130306A ,2022-09-30

[10]

半导体器件中辐照缺陷演化的仿真方法及系统 [P].

李兴冀 ;

荆宇航 ;

杨剑群 ;

刘中利 ;

魏亚东 .

中国专利 :CN115130306B ,2025-04-25

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