用于制造厚的图案化含硅电极的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810216202.8
申请日
2018-03-15
公开(公告)号
CN108695486A
公开(公告)日
2018-10-23
发明(设计)人
肖兴成 王宏亮 Q·张 M·W·维尔布鲁格
申请人
申请人地址
美国密歇根州
IPC主分类号
H01M404
IPC分类号
H01M4139
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
邓雪萌
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
用于含硅电极的电解质体系 [P]. 
杨黎 ;
M·蔡 ;
P·卢 ;
戴放 .
中国专利 :CN108899583B ,2018-11-27
[2]
用于含硅电极的电解质 [P]. 
孔德文 ;
刘海晶 ;
陈思 ;
侯孟炎 ;
M·W·维布鲁格 .
美国专利 :CN118352462A ,2024-07-16
[3]
含硅电极及其制备方法 [P]. 
I·尹 ;
M·王 ;
I·C·哈拉莱 .
美国专利 :CN117790791A ,2024-03-29
[4]
制造用于锂基电池的含硅复合电极的方法 [P]. 
I·C·哈拉莱 ;
T·J·富勒 ;
M·P·巴洛格 .
中国专利 :CN111048747A ,2020-04-21
[5]
包含交联聚合物粘合剂的含硅电极及其制备方法 [P]. 
孔德文 ;
刘海晶 ;
侯孟炎 ;
陈思 ;
许志新 ;
杨军 .
美国专利 :CN118263434A ,2024-06-28
[6]
制造高性能电极的方法 [P]. 
黄晓松 ;
J.胡 ;
Y-T.程 .
中国专利 :CN111446426A ,2020-07-24
[7]
制备硅-碳复合电极材料的方法 [P]. 
王蕾 ;
齐共新 ;
W·李 .
中国专利 :CN112750995A ,2021-05-04
[8]
厚阴极的配方和制造 [P]. 
N·埃利森 ;
黄晓松 .
中国专利 :CN114068878A ,2022-02-18
[9]
含硅电化学电池及其制造方法 [P]. 
肖兴成 ;
M·W·费尔布鲁格 ;
X·杨 ;
王蕾 ;
R·克 .
美国专利 :CN114335493B ,2024-07-19
[10]
含硅电化学电池及其制造方法 [P]. 
肖兴成 ;
M·W·费尔布鲁格 ;
X·杨 ;
王蕾 ;
R·克 .
中国专利 :CN114335493A ,2022-04-12