氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711023720.X

申请日：

2017-10-27

公开(公告)号：

CN109735829A

公开(公告)日：

2019-05-10

发明(设计)人：

许烁烁舒勇东刘良玉

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C16455 C23C16511 H01L31068

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

周长清;黄丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-10	公开	公开
2021-02-26	授权	授权
2019-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20171027

共 50 条

[1]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[2]

氮化硅薄膜窗口 [P].

王晟 .

中国专利 :CN204087838U ,2015-01-07

[3]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103924212A ,2014-07-16

[4]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[5]

平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P].

奚建平 ;

周子彬 .

中国专利 :CN201195747Y ,2009-02-18

[6]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

[7]

氮化硅薄膜的制造方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103578937A ,2014-02-12

[8]

平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 [P].

奚建平 ;

周子彬 .

中国专利 :CN101260520A ,2008-09-10

[9]

一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜 [P].

车国良 ;

曹学文 ;

郭顺华 .

中国专利 :CN121183319A ,2025-12-23

[10]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

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