半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910209089.1

申请日：

2009-10-30

公开(公告)号：

CN101728435A

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

秋元健吾佐佐木俊成

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924 H01L2134 H01L21203 H01L2702

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

郭放

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-09	公开	公开
2014-06-25	授权	授权
2011-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120710154 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009102090891 申请日:20091030

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 .

中国专利 :CN103107201B ,2013-05-15

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN101740633A ,2010-06-16

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

本田达也 ;

曾根宽人 .

中国专利 :CN105428418A ,2016-03-23

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

本田达也 ;

曾根宽人 .

中国专利 :CN101335276A ,2008-12-31

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

本田达也 ;

曾根宽人 .

中国专利 :CN101335275A ,2008-12-31

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

小山润 .

中国专利 :CN107104107B ,2017-08-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

小山润 .

中国专利 :CN101794737A ,2010-08-04

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

本田达也 ;

曾根宽人 .

中国专利 :CN101335212A ,2008-12-31

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

乡户宏充 .

中国专利 :CN102511082B ,2012-06-20

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