高介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用

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专利类型
发明
申请号
CN201310746333.4
申请日
2013-12-30
公开(公告)号
CN103724624B
公开(公告)日
2016-03-30
发明(设计)人
侯豪情 吕晓义 何平
申请人
申请人地址
518118 广东省深圳市坪山新区大工业区兰景北路惠程科技园
IPC主分类号
C08G7310
IPC分类号
C08J518
代理机构
北京万科园知识产权代理有限责任公司 11230
代理人
刘俊玲;张亚军
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
闵永刚 ;
余文涛 ;
廖松义 ;
刘屹东 ;
谭婉仪 ;
朋小康 .
中国专利 :CN112210101A ,2021-01-12
[2]
一种高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
孙善卫 ;
徐宝羚 ;
庞冲 ;
方超 .
中国专利 :CN116285347B ,2024-12-20
[3]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
李璐 ;
柏栋宇 ;
李科 ;
李颖 ;
程江 .
中国专利 :CN110358134A ,2019-10-22
[4]
一种低介电常数多孔聚酰亚胺微球/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
李科 ;
杨麟 ;
杨林 ;
杜娟 .
中国专利 :CN117487352A ,2024-02-02
[5]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
汪英 ;
任小龙 ;
周福龙 ;
王汝柯 ;
李耀星 .
中国专利 :CN104211980B ,2014-12-17
[6]
一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 [P]. 
李科 ;
彭明云 ;
黄丙亮 ;
程杰 ;
左文燕 ;
胡磊 .
中国专利 :CN114381040A ,2022-04-22
[7]
交联型聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
田国峰 ;
周涵 ;
武德珍 ;
齐胜利 .
中国专利 :CN110734559A ,2020-01-31
[8]
二胺单体、低介电常数聚酰亚胺及其薄膜的制备方法和应用 [P]. 
戴李宗 ;
吴成英 ;
吕涛 ;
彭超华 ;
赵隆英 ;
袁丛辉 ;
陈国荣 ;
王孟英 .
中国专利 :CN120040482A ,2025-05-27
[9]
高介电常数的聚酰亚胺金属络合物及其制备方法 [P]. 
侯豪情 ;
彭信文 ;
陈水亮 .
中国专利 :CN103113583A ,2013-05-22
[10]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
李科 ;
黄丙亮 ;
彭明云 ;
王龙 .
中国专利 :CN112679770B ,2021-04-20