铜互连层的形成方法及包含铜互连层的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110725991.X

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN113502522A

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

刘博黄景山陈正艳

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

C25D712

IPC分类号：

C25D552 C25D518 C25D502 C25D338 C23C2800 H01L21768 H01L23532

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	公开	公开
2021-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 7/12 申请日:20210629

共 50 条

[1]

用于铜互连的阻挡层的形成方法 [P].

迪恩·J·丹宁 ;

萨姆·S·加西亚 ;

布拉德利·P·史密斯 ;

丹尼尔·J·路普 ;

格里高里·诺曼·汉米尔顿 ;

MD·拉比欧·伊斯拉姆 ;

布莱恩·G·安托尼 .

中国专利 :CN1266279A ,2000-09-13

[2]

电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件 [P].

刘博 ;

王春伟 ;

严钧华 .

中国专利 :CN111005043A ,2020-04-14

[3]

刻蚀停止层及铜互连的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103187266A ,2013-07-03

[4]

铜互连线的形成方法和介质层的处理方法 [P].

邓武锋 .

中国专利 :CN102054748B ,2011-05-11

[5]

改善可靠性的铜互连层制备方法及半导体器件 [P].

陈玉文 ;

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 .

中国专利 :CN102790010A ,2012-11-21

[6]

铜互连层上的熔丝制程方法及其半导体器件 [P].

魏秉钧 ;

陈昱升 .

中国专利 :CN101819943B ,2010-09-01

[7]

铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法 [P].

张飞虎 ;

冷江华 ;

赵龙 .

中国专利 :CN104362139A ,2015-02-18

[8]

半导体器件互连层顶层布线层及其形成方法 [P].

楠暖 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN101330040B ,2008-12-24

[9]

半导体器件、互连层和互连层的制作方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105097658B ,2015-11-25

[10]

铜互连层的制造方法 [P].

张海洋 ;

周俊卿 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103187361A ,2013-07-03

← 1 2 3 4 5 →