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多栅极薄膜晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN88100903
申请日
:
1988-02-17
公开(公告)号
:
CN88100903A
公开(公告)日
:
1988-08-31
发明(设计)人
:
马尔科姆·詹姆斯·汤普森
申请人
:
申请人地址
:
美国纽约州
IPC主分类号
:
H01L2940
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
中国专利代理有限公司
代理人
:
吴增勇;吴秉芬
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
1988-08-31
公开
公开
1990-11-14
被视为撤回的申请
被视为撤回的申请
共 50 条
[1]
多栅极薄膜晶体管
[P].
约翰·贤哲·洪
论文数:
0
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约翰·贤哲·洪
;
金天弘
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金天弘
;
冯子青
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冯子青
.
中国专利
:CN104508829A
,2015-04-08
[2]
薄膜晶体管的制备方法及顶栅极式薄膜晶体管
[P].
高骐
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高骐
;
萧铉桦
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萧铉桦
;
郑百胜
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0
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郑百胜
.
中国专利
:CN102856169B
,2013-01-02
[3]
薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管
[P].
是成贵弘
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是成贵弘
;
田边浩
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田边浩
.
中国专利
:CN101989619A
,2011-03-23
[4]
薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管
[P].
是成贵弘
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是成贵弘
;
田边浩
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0
田边浩
.
中国专利
:CN104409517A
,2015-03-11
[5]
薄膜晶体管栅极电压供给电路
[P].
曹丹
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曹丹
.
中国专利
:CN105390112A
,2016-03-09
[6]
薄膜晶体管及薄膜晶体管基板
[P].
方国龙
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方国龙
;
施博理
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施博理
;
高逸群
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高逸群
;
林欣桦
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林欣桦
;
李志隆
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李志隆
.
中国专利
:CN105810745B
,2016-07-27
[7]
薄膜晶体管
[P].
佐藤荣一
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佐藤荣一
;
青山俊之
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青山俊之
.
中国专利
:CN103503125A
,2014-01-08
[8]
薄膜晶体管
[P].
蔡武卫
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蔡武卫
;
林柏廷
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林柏廷
;
陈海清
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陈海清
;
林仲德
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林仲德
.
中国专利
:CN114823866A
,2022-07-29
[9]
薄膜晶体管
[P].
佐藤荣一
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佐藤荣一
;
青山俊之
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青山俊之
.
中国专利
:CN103493187A
,2014-01-01
[10]
薄膜晶体管
[P].
杜佳勋
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杜佳勋
;
胡克龙
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胡克龙
.
中国专利
:CN102005483B
,2011-04-06
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