晶体管集成电路装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200480006662.4
申请日
2004-10-08
公开(公告)号
CN1759481A
公开(公告)日
2006-04-12
发明(设计)人
川岛克彦 前田昌宏 村山启一 宫本裕孝
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2704
IPC分类号
H01L2973 H01L2706 H01L213205
代理机构
永新专利商标代理有限公司
代理人
王英
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体管、集成电路及其制造方法 [P]. 
张家豪 ;
谢明山 ;
陈振隆 ;
连万益 ;
王志豪 .
中国专利 :CN105990431B ,2016-10-05
[2]
晶体管器件及其制造方法、集成电路 [P]. 
柳永勋 ;
王诗男 ;
刘强 ;
陈舒静 .
中国专利 :CN121054445A ,2025-12-02
[3]
晶体管器件及其制造方法、集成电路 [P]. 
柳永勋 ;
王诗男 ;
刘强 ;
陈舒静 .
中国专利 :CN121054446A ,2025-12-02
[4]
包括堆叠晶体管的集成电路装置及其制造方法 [P]. 
梁明 ;
尹承灿 ;
朴修永 ;
李载泓 ;
徐康一 .
韩国专利 :CN118866902A ,2024-10-29
[5]
垂直DMOS晶体管装置、集成电路及其制造方法 [P]. 
A·里特温 ;
J·-E·米勒 ;
H·诺斯特雷姆 .
中国专利 :CN100361315C ,2005-05-04
[6]
集成电路晶体管 [P]. 
高荣辉 ;
曹昌胜 ;
陈燕铭 ;
吴林峻 .
中国专利 :CN2777758Y ,2006-05-03
[7]
集成电路晶体管 [P]. 
刘骏 ;
A·拉特纳库玛尔 ;
相奇 ;
董晓琪 .
中国专利 :CN101740628A ,2010-06-16
[8]
MOS晶体管的制造方法、集成电路的制造方法、MOS晶体管及集成电路 [P]. 
许文山 ;
董洁琼 .
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[9]
晶体管器件、制造晶体管器件的方法及集成电路 [P]. 
许海涛 .
中国专利 :CN109920913A ,2019-06-21
[10]
制造双极晶体管的方法、双极晶体管和集成电路 [P]. 
埃弗利娜·格里德莱特 ;
约翰尼斯·唐克斯 ;
皮特鲁斯·马尼 ;
菲特·丁 ;
托尼·范胡克 .
中国专利 :CN104134688B ,2014-11-05