一种高饱和磁感应强度和高电阻率的纳米晶MnZn铁氧体材料及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010137487.X
申请日
2010-03-31
公开(公告)号
CN101811861A
公开(公告)日
2010-08-25
发明(设计)人
魏瑞明 戴建中 陆静军 邹仲鹤
申请人
申请人地址
215557 江苏省常熟市虞山高新技术产业园国新路
IPC主分类号
C04B3526
IPC分类号
C04B35622
代理机构
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
柏尚春
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法 [P]. 
余忠 ;
兰中文 ;
孙科 ;
李乐中 ;
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[2]
高饱和磁感应强度低损耗纳米晶锰锌铁氧体 [P]. 
魏瑞明 ;
戴建中 ;
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[3]
高饱和磁感应强度高阻抗MnZn铁氧体磁性材料及制造方法 [P]. 
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包大新 ;
严正信 ;
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[4]
高饱和磁感应强度低损耗纳米晶锰锌铁氧体的制备方法 [P]. 
魏瑞明 ;
戴建中 ;
邹仲鹤 ;
俞利忠 .
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[5]
高饱和磁感应强度的软磁锰锌铁氧体材料及其制备方法 [P]. 
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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