一种利用熔体净化作用消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110762984.7
申请日
2021-07-06
公开(公告)号
CN113528868A
公开(公告)日
2021-10-22
发明(设计)人
王建华 朱泽 涂浩 吴长军 苏旭平
申请人
申请人地址
213164 江苏省常州市武进区滆湖中路21号
IPC主分类号
C22C102
IPC分类号
C22C106 C22C2102
代理机构
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258
代理人
王美华
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法 [P]. 
王建华 ;
陈文瑶 ;
彭浩平 ;
刘亚 ;
苏旭平 .
中国专利 :CN113564391A ,2021-10-29
[2]
一种消除过共晶铝硅合金初生硅的方法及过共晶铝硅合金 [P]. 
王建华 ;
杜福林 ;
吴长军 ;
刘亚 ;
苏旭平 .
中国专利 :CN114411000B ,2022-04-29
[3]
亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法 [P]. 
施忠良 ;
顾明元 ;
吴人洁 ;
刘俊友 .
中国专利 :CN1125263A ,1996-06-26
[4]
过共晶铝硅合金中初生硅的细化方法 [P]. 
李元东 ;
胡韶华 ;
马颖 ;
陈体军 ;
郝远 .
中国专利 :CN102839291A ,2012-12-26
[5]
一种利用锶合金化和熔体净化制备伪共晶铝硅合金的制备方法 [P]. 
王建华 ;
陈文瑶 ;
彭浩平 ;
刘亚 ;
苏旭平 .
中国专利 :CN114410998A ,2022-04-29
[6]
一种细化Al-18Si过共晶铝硅合金中初生硅的方法 [P]. 
王建华 ;
杜福林 ;
彭浩平 ;
朱翔鹰 ;
苏旭平 .
中国专利 :CN113444899A ,2021-09-28
[7]
一种过共晶铝硅合金中初生硅的分离方法 [P]. 
金青林 ;
王顺金 ;
王栋栋 ;
刘恩典 .
中国专利 :CN110965120A ,2020-04-07
[8]
一种细化过共晶铝硅合金初生硅相的方法 [P]. 
廖恒成 ;
陈浩 .
中国专利 :CN111763837A ,2020-10-13
[9]
一种利用熔体净化和微量镧合金化制备近伪共晶铝硅合金的制备方法 [P]. 
王建华 ;
荆伊蕾 ;
朱泽 ;
吴长军 ;
苏旭平 .
中国专利 :CN114351013A ,2022-04-15
[10]
一种过共晶铝硅合金中初生硅相的定量检测方法 [P]. 
李卫红 ;
周吉学 ;
马百常 ;
吴建华 ;
庄海华 ;
韩青友 ;
杨院生 .
中国专利 :CN106370565A ,2017-02-01