半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111520633.1

申请日：

2021-12-13

公开(公告)号：

CN114220815A

公开(公告)日：

2022-03-22

发明(设计)人：

薛立平段松汉齐翔羽佟宇鑫顾林王虎

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711526

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

唐嘉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20211213
2022-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

薛立平 ;

段松汉 ;

齐翔羽 ;

佟宇鑫 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN114220815B ,2025-05-13

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

姜春磊 ;

李敏 ;

林先军 .

中国专利 :CN114446788A ,2022-05-06

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

段松汉 ;

齐翔羽 ;

薛立平 ;

佟宇鑫 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN114220816B ,2025-05-06

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

段松汉 ;

齐翔羽 ;

薛立平 ;

佟宇鑫 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN114220816A ,2022-03-22

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

姜春磊 ;

李敏 ;

林先军 .

中国专利 :CN114446788B ,2025-08-26

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

涂武涛 ;

陈天锐 ;

张辰睿 .

中国专利 :CN117790421A ,2024-03-29

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

渠汇 ;

杨鹏 ;

唐睿智 ;

吉利 ;

钱文明 .

中国专利 :CN114823507B ,2025-07-04

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

韩秋华 ;

王艳良 .

中国专利 :CN113764276B ,2024-06-18

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

苏博 ;

亚伯拉罕·庾 ;

吴汉洙 .

中国专利 :CN115084026A ,2022-09-20

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

贺鑫 ;

董耀旗 .

中国专利 :CN114823533A ,2022-07-29

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