沟槽型功率MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610462883.7

申请日：

2016-06-23

公开(公告)号：

CN105957895A

公开(公告)日：

2016-09-21

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏刘晶晶

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;张涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-21	公开	公开
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683321561 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016104628837 申请日:20160623
2020-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160921

共 50 条

[1]

沟槽型功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN205789991U ,2016-12-07

[2]

一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

丁磊 .

中国专利 :CN102280487A ,2011-12-14

[3]

电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN106920848A ,2017-07-04

[4]

沟槽型功率MOSFET器件及制造方法 [P].

邹兆一 ;

李学会 .

中国专利 :CN119947156A ,2025-05-06

[5]

沟槽功率MOSFET器件制造方法 [P].

孙勤 ;

彭虎 ;

谢烜 ;

杨欣 .

中国专利 :CN102054702A ,2011-05-11

[6]

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件 [P].

周振强 ;

徐承福 .

中国专利 :CN216213475U ,2022-04-05

[7]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[8]

沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P].

盛况 ;

王宝柱 ;

任娜 ;

徐弘毅 ;

吴九鹏 ;

王珩宇 .

中国专利 :CN117613088A ,2024-02-27

[9]

超结型沟槽功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

杨东 ;

林河北 ;

郑方伟 ;

李龙 ;

杜永琴 .

中国专利 :CN107302023A ,2017-10-27

[10]

一种电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN106876472A ,2017-06-20

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