发光二极管座体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610112036.4

申请日：

2006-08-25

公开(公告)号：

CN101132038A

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

李永富孙任远

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县龙潭乡工二路82巷12号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L25075 H01L2500

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	公开	公开
2015-10-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631626731 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006101120364 申请日:20060825 授权公告日:20090422 终止日期:20140825
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管座体结构 [P].

李永富 ;

陈明鸿 ;

詹政卫 .

中国专利 :CN101865436A ,2010-10-20

[2]

发光二极管座体结构 [P].

李廷玺 .

中国专利 :CN205911327U ,2017-01-25

[3]

发光二极管座体结构 [P].

李廷玺 .

中国专利 :CN107623066A ,2018-01-23

[4]

发光二极管座体结构 [P].

李永富 .

中国专利 :CN201222509Y ,2009-04-15

[5]

发光二极管座体 [P].

游尚桦 .

中国专利 :CN2622869Y ,2004-06-30

[6]

发光二极管座体 [P].

詹益洪 ;

洪荣辉 ;

江庆鸿 ;

陈书伟 .

中国专利 :CN201243023Y ,2009-05-20

[7]

发光二极管的座体结构 [P].

杨富宝 ;

陈明鸿 .

中国专利 :CN101320769A ,2008-12-10

[8]

发光二极管结构 [P].

许嘉芸 ;

徐志宏 .

中国专利 :CN102044596A ,2011-05-04

[9]

耐电击的发光二极管座体结构 [P].

李永富 .

中国专利 :CN201539828U ,2010-08-04

[10]

发光二极管的承载座 [P].

薛宇淳 ;

林明宪 .

中国专利 :CN203859146U ,2014-10-01

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