用于半导体器件的布线层的通孔

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410155336.5

申请日：

2014-04-17

公开(公告)号：

CN104112704A

公开(公告)日：

2014-10-22

发明(设计)人：

C·V·亚恩斯刘小虎 B·C·韦布

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23538

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588952029 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014101553365 申请日:20140417
2014-10-22	公开	公开
2017-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20171102 变更事项:申请人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2020-04-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20140417 授权公告日:20171205 终止日期:20190417
2017-12-05	授权	授权
2017-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/768 登记生效日:20171102 变更事项:申请人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛

共 50 条

[1]

具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法 [P].

伯恩哈德·勒夫勒 ;

托马斯·博德纳 ;

耶格·西格特 .

中国专利 :CN113474877A ,2021-10-01

[2]

具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法 [P].

伯恩哈德·勒夫勒 ;

托马斯·博德纳 ;

耶格·西格特 .

:CN113474877B ,2024-08-02

[3]

半导体衬底中的通孔及导电布线层 [P].

凯尔·K·柯比 ;

萨拉·A·尼鲁曼德 .

中国专利 :CN102484095A ,2012-05-30

[4]

半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法 [P].

葛原刚 ;

小邑笃 ;

坚田满孝 ;

成濑孝好 .

中国专利 :CN101170091A ,2008-04-30

[5]

用于半导体器件的通孔 [P].

埃里克·阿米勒 ;

E·威廉·科威尔三世 .

中国专利 :CN208298810U ,2018-12-28

[6]

具有多个半导体层的半导体器件 [P].

苏莱施·温卡特森 ;

马克·C.·福伊希 ;

迈克尔·A.·门迪奇诺 ;

马瑞斯·K.·奥罗斯基 .

中国专利 :CN1973374A ,2007-05-30

[7]

用于半导体器件的通孔及方法 [P].

郭家邦 ;

张志毅 ;

谢明晓 ;

詹伟翔 ;

李亚莲 ;

黃建中 ;

林俊杰 ;

苏鸿文 .

中国专利 :CN113793842B ,2024-10-01

[8]

用于半导体器件的通孔及方法 [P].

郭家邦 ;

张志毅 ;

谢明晓 ;

詹伟翔 ;

李亚莲 ;

黃建中 ;

林俊杰 ;

苏鸿文 .

中国专利 :CN113793842A ,2021-12-14

[9]

具有自对准通孔的半导体器件 [P].

陈建汉 ;

邱建智 ;

梁明中 .

中国专利 :CN111128855A ,2020-05-08

[10]

半导体器件、衬底和用于制造半导体层序列的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

帕特里克·罗德 ;

菲利普·德雷克塞尔 .

中国专利 :CN103003917A ,2013-03-27

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