一种磷化铟芯片抛光液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011480372.0

申请日：

2020-12-15

公开(公告)号：

CN112480826A

公开(公告)日：

2021-03-12

发明(设计)人：

苑亚斐

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地信息路12号1号楼C402、C406室

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

代理机构：

北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210

代理人：

田磊

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C09G 1/02 变更事项:发明人变更前:苑亚斐变更后:苑亚斐谭昊
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20201215
2021-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种抛光液用磨料及磷化铟晶体精抛用抛光液及其制备方法 [P].

王留刚 ;

李海淼 ;

高伟 .

中国专利 :CN114133915B ,2022-03-04

[2]

一种磷化铟晶片抛光液 [P].

董云娜 .

中国专利 :CN109280492A ,2019-01-29

[3]

硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

王胜利 ;

项霞 .

中国专利 :CN102010664B ,2011-04-13

[4]

一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片 [P].

王波 ;

凌龙 ;

方文德 .

中国专利 :CN119592381A ,2025-03-11

[5]

一种抛光液、磷化铟抛光装置及方法 [P].

路家斌 ;

骆应荣 ;

熊强 ;

阎秋生 ;

王新汉 ;

刘文涛 .

中国专利 :CN114559302A ,2022-05-31

[6]

一种精抛光液及其制备方法 [P].

包亚群 .

中国专利 :CN109233644B ,2019-01-18

[7]

一种氧化铝抛光液及其制备方法 [P].

张理纲 .

中国专利 :CN111548738A ,2020-08-18

[8]

抛光液及其制备方法 [P].

李俊锋 ;

李青 ;

徐兴军 ;

张广涛 ;

闫冬成 ;

王丽红 ;

郑权 .

中国专利 :CN107629701B ,2018-01-26

[9]

一种抛光液及其制备方法 [P].

王飞 .

中国专利 :CN107267991A ,2017-10-20

[10]

高精度抛光液及其制备方法 [P].

李尧 .

中国专利 :CN105315893A ,2016-02-10

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