硅晶片的制造方法和硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480076001.2

申请日：

2014-11-19

公开(公告)号：

CN106030764A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

神野清治中岛亮又川敏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B2706 B28D504

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

刘林华;李婷

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-30	授权	授权
2016-10-12	公开	公开
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687280860 IPC(主分类):H01L 21/304 专利申请号:2014800760012 申请日:20141119

共 50 条

[1]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

日本专利 :CN113745093B ,2024-05-10

[2]

硅晶片和硅晶片的制造方法 [P].

藤濑淳 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN113745093A ,2021-12-03

[3]

硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片 [P].

中尾文彰 ;

芦马溪 ;

小田悠 .

日本专利 :CN121219817A ,2025-12-26

[4]

硅晶片的制造方法及硅晶片 [P].

杉森胜久 ;

小佐佐和明 .

中国专利 :CN105097444B ,2015-11-25

[5]

外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片 [P].

楢原和宏 ;

增田纯久 .

中国专利 :CN104584191B ,2015-04-29

[6]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

中国专利 :CN109690746A ,2019-04-26

[7]

硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片 [P].

森敬一朗 .

日本专利 :CN109690746B ,2024-02-09

[8]

硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法 [P].

矶贝宏道 ;

仙田刚士 ;

丰田英二 ;

村山久美子 ;

泉妻宏治 ;

前田进 ;

鹿岛一日児 ;

荒木浩司 ;

青木竜彦 ;

须藤治生 ;

望月阳一郎 ;

小林昭彦 ;

符森林 .

中国专利 :CN101638807B ,2010-02-03

[9]

硅晶片制造工序的评价方法和硅晶片的制造方法 [P].

醍醐重 ;

松田脩平 .

中国专利 :CN110770887A ,2020-02-07

[10]

硅晶片的制造方法及硅晶片以及SOI晶片 [P].

饭塚人 ;

二本松孝 ;

吉田正彦 ;

宫崎诚一 .

中国专利 :CN1489783A ,2004-04-14

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