一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711052150.7

申请日：

2017-10-30

公开(公告)号：

CN107845675B

公开(公告)日：

2018-03-27

发明(设计)人：

张春伟李阳王靖博岳文静付小倩李志明

申请人：

申请人地址：

250022 山东省济南市南辛庄西路336号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

董雪

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/40 登记生效日:20211116 变更事项:专利权人变更前权利人:济南大学变更后权利人:济南半一电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:250022 山东省济南市南辛庄西路336号变更后权利人:250101 山东省济南市高新区春晖路2966号济南高新区战略性新兴产业基地15号楼101
2020-02-18	授权	授权
2018-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20171030
2018-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

魏家行 ;

王琪朝 ;

肖魁 ;

王德进 ;

卢丽 ;

杨玲 ;

叶然 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112993021A ,2021-06-18

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

袁小宁 .

中国专利 :CN104733532A ,2015-06-24

[3]

一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

李春来 ;

杨银堂 ;

马剑冲 ;

袁嵩 .

中国专利 :CN104009089B ,2014-08-27

[4]

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

李春来 ;

杨银堂 ;

马剑冲 ;

袁嵩 .

中国专利 :CN104009090B ,2014-08-27

[5]

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

李春来 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104112774A ,2014-10-22

[6]

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

曹震 ;

杨银堂 ;

袁嵩 ;

郭海君 .

中国专利 :CN103996715A ,2014-08-20

[7]

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

段宝兴 ;

袁嵩 ;

董自明 ;

郭海君 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN106876464A ,2017-06-20

[8]

N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

胡小龙 ;

张广胜 ;

卞鹏 ;

张森 .

中国专利 :CN105720099A ,2016-06-29

[9]

垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

谭咸宁 .

中国专利 :CN101719509B ,2010-06-02

[10]

高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 [P].

张广胜 ;

张森 ;

卞鹏 ;

胡小龙 .

中国专利 :CN105826371A ,2016-08-03

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