共享字线的无触点分栅式闪存制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201019063031.0
申请日
2010-02-05
公开(公告)号
CN101789399A
公开(公告)日
2010-07-28
发明(设计)人
曹子贵
申请人
申请人地址
201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
IPC主分类号
H01L218247
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
郑玮
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
共享字线的无触点分栅式闪存及其制造方法 [P]. 
曹子贵 ;
张雄 ;
谢中华 .
中国专利 :CN101807581B ,2010-08-18
[2]
共享字线的无触点SONOS分栅式闪存 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101814510B ,2010-08-25
[3]
共享字线的无触点SONOS分栅式闪存 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101866928B ,2010-10-20
[4]
共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101819978B ,2010-09-01
[5]
共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101866927A ,2010-10-20
[6]
共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存及其制造方法 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101866930B ,2010-10-20
[7]
共享字线的无触点氮化硅分栅式闪存及其制造方法 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101866929B ,2010-10-20
[8]
共享字线的分栅式闪存制造方法 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101777521B ,2010-07-14
[9]
共享字线的分栅式闪存 [P]. 
顾靖 .
中国专利 :CN101465161A ,2009-06-24
[10]
共享字线的分栅式闪存 [P]. 
曹子贵 .
中国专利 :CN101707200A ,2010-05-12