发光二极管外延片的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010802174.5

申请日：

2020-08-11

公开(公告)号：

CN112133797A

公开(公告)日：

2020-12-25

发明(设计)人：

姚振从颖董彬忠李鹏

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3310 H01L3312 H01L3314 H01L3322

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	公开	公开
2021-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20200811
2021-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管外延片的生长方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

董彬忠 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112259645B ,2021-01-22

[2]

发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

兰叶 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN111009598A ,2020-04-14

[3]

一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

从颖 ;

姚振 ;

韩杰 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN104465898A ,2015-03-25

[4]

发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110265514B ,2019-09-20

[5]

发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

从颖 ;

姚振 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110993748B ,2020-04-10

[6]

发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

姚振 ;

从颖 ;

董彬忠 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111430515B ,2020-07-17

[7]

发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

从颖 ;

姚振 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN110993747B ,2020-04-10

[8]

一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

董彬忠 ;

王江波 ;

魏世祯 ;

刘榕 .

中国专利 :CN104576847B ,2015-04-29

[9]

发光二极管外延片的生长方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

董彬忠 ;

李鹏 .

中国专利 :CN113113515B ,2021-07-13

[10]

发光二极管外延片的生长方法 [P].

从颖 ;

姚振 ;

梅劲 .

中国专利 :CN112582505B ,2021-03-30

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