高性能非易失性存储器模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111250123.7

申请日：

2016-03-11

公开(公告)号：

CN113806243A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

F·韦尔 E·特塞恩 J·林斯塔特

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G06F1202

IPC分类号：

G06F120871

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

马明月

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/02 申请日:20160311
2021-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

高性能非易失性存储器模块 [P].

F·韦尔 ;

E·特塞恩 ;

J·林斯塔特 .

中国专利 :CN107209718B ,2017-09-26

[2]

高性能非易失性存储器模块 [P].

F·韦尔 ;

E·特塞恩 ;

J·林斯塔特 .

美国专利 :CN113806243B ,2025-05-30

[3]

非易失性存储器模块 [P].

M.普拉卡什 ;

E.L.佩顿 ;

J.K.格鲁姆斯 ;

D.齐亚卡斯 ;

M.阿拉法 ;

R.K.拉马努延 ;

D.王 .

中国专利 :CN106663456A ,2017-05-10

[4]

存储器、存储器模块和非易失性存储器的存储器映射 [P].

F·F·罗斯 ;

M·A·布莱瑟 .

美国专利 :CN113508367B ,2024-01-09

[5]

存储器、存储器模块和非易失性存储器的存储器映射 [P].

F·F·罗斯 ;

M·A·布莱瑟 .

美国专利 :CN117762825A ,2024-03-26

[6]

存储器、存储器模块和非易失性存储器的存储器映射 [P].

F·F·罗斯 ;

M·A·布莱瑟 .

中国专利 :CN113508367A ,2021-10-15

[7]

非易失性存储器模块的错误恢复 [P].

王静 ;

詹姆斯·R·马格罗 ;

凯达尔纳特·巴拉里斯南 .

中国专利 :CN114902187A ,2022-08-12

[8]

包括非易失性存储器件的半导体存储器模块 [P].

崔桢焕 ;

李泰成 .

韩国专利 :CN110795370B ,2025-01-28

[9]

包括非易失性存储器件的半导体存储器模块 [P].

崔桢焕 ;

李泰成 .

中国专利 :CN110795370A ,2020-02-14

[10]

非易失性存储器装置 [P].

李明雨 ;

金采勳 ;

金志桓 ;

宋仲镐 .

中国专利 :CN114822647A ,2022-07-29

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