辐射传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610942592.8

申请日：

2010-06-16

公开(公告)号：

CN107425020A

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

L·E·安托努克

申请人：

申请人地址：

美国密执安

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

马景辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	公开	公开
2019-10-18	授权	授权
2022-07-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/146 变更事项:专利权人变更前:密执安州立大学董事会变更后:密歇根大学董事会变更事项:地址变更前:美国密执安变更后:美国密歇根
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20100616

共 50 条

[1]

辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法 [P].

J.米尔皮德 ;

E.杜鲁普特 ;

Y.维达尔 ;

D.米拉森 .

中国专利 :CN110243469A ,2019-09-17

[2]

辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法 [P].

J.米尔皮德 ;

E.杜鲁普特 ;

Y.维达尔 ;

D.米拉森 .

法国专利 :CN110243469B ,2024-01-02

[3]

光刻设备与辐射传感器及辐射传感器制造方法 [P].

海柯·V·柯克 ;

阿里西·J·范德西斯 .

中国专利 :CN101109908A ,2008-01-23

[4]

辐射传感器 [P].

大卫·米尼基利 ;

米歇尔·托尼奥 ;

弗里德里希·弗里德尔 .

中国专利 :CN107438900A ,2017-12-05

[5]

辐射传感器 [P].

E·芬德莱 .

中国专利 :CN102538955A ,2012-07-04

[6]

辐射传感器 [P].

T·J·克雷尔纳 ;

P·J·斯特劳布 ;

R·特威尼 .

中国专利 :CN101196423A ,2008-06-11

[7]

辐射传感器 [P].

E·芬德雷 .

中国专利 :CN103314281A ,2013-09-18

[8]

辐射传感器 [P].

Ｃ·Ｊ·阿尔德 .

中国专利 :CN1054946C ,1996-08-07

[9]

光照辐射传感器 [P].

卢郑兴 ;

崔明 .

中国专利 :CN309673953S ,2025-12-16

[10]

辐射传感器和剂量仪 [P].

阿纳托利·罗森菲尔德 .

中国专利 :CN101730853A ,2010-06-09

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