光电容积描记传感器构造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780052611.2

申请日：

2017-06-29

公开(公告)号：

CN109640794A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

埃利亚斯·佩科宁塞波·科尔卡拉

申请人：

申请人地址：

芬兰肯佩莱

IPC主分类号：

A61B500

IPC分类号：

A61B51455 A61B5024 A61B50205

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

王晖;李丙林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):A61B 5/00 申请日:20170629
2022-03-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):A61B 5/00 申请公布日:20190416

共 50 条

[1]

可佩戴的光电容积描记传感器设备 [P].

埃利亚斯·佩科宁 ;

塞波·科尔卡拉 .

:CN113940649B ,2025-01-03

[2]

可佩戴的光电容积描记传感器设备 [P].

埃利亚斯·佩科宁 ;

塞波·科尔卡拉 .

中国专利 :CN113940649A ,2022-01-18

[3]

包括光电容积描记传感器的吸入器 [P].

金愍奎 ;

鲜于准 ;

李源暻 .

韩国专利 :CN118019469A ,2024-05-10

[4]

具有新颖布置方式的光电容积描记传感器 [P].

王明业 .

中国专利 :CN118871035A ,2024-10-29

[5]

光电容积描记传感器和包括该传感器的半导体设备 [P].

郑成珍 ;

严龙 ;

柳承材 ;

韩仑澈 .

中国专利 :CN113907735A ,2022-01-11

[6]

光电容积描记传感器和包括该传感器的半导体设备 [P].

郑成珍 ;

严龙 ;

柳承材 ;

韩仑澈 .

韩国专利 :CN113907735B ,2025-11-07

[7]

光电容积描记信号提取 [P].

A·C·登布林克尔 ;

J·H·维尔贝恩 ;

S·魏斯 ;

I·帕珀斯 .

:CN120153409A ,2025-06-13

[8]

含有聚合物组合物的光电容积描记传感器 [P].

金荣申 ;

菲利普·T·威尔逊 ;

多恩·德梅洛 .

美国专利 :CN117677346A ,2024-03-08

[9]

患者的非接触呼吸监测和用于光电容积描记术测量的光学传感器 [P].

R·平特 ;

J·米尔史蒂夫 ;

G·斯佩克维尔斯 ;

D·于 ;

S·M·L·德沃特 ;

G·J·米施 ;

X·L·M·A·奥贝特 .

中国专利 :CN102014737B ,2011-04-13

[10]

用于节能的、低噪声的光电容积描记传感器模块的光学布置 [P].

M·M·阿特梅捷德 ;

B·P·德斯格诺 ;

Y·张 .

中国专利 :CN107260150A ,2017-10-20

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