一种增大比表面积的单晶硅电池片

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201920859391.0
申请日
2019-06-10
公开(公告)号
CN209804674U
公开(公告)日
2019-12-17
发明(设计)人
张元秋 谢毅 杨蕾 王岚 洪布双 张鹏
申请人
申请人地址
230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角
IPC主分类号
H01L310236
IPC分类号
H01L3118
代理机构
昆明合众智信知识产权事务所 53113
代理人
叶春娜
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种增大比表面积的单晶硅电池片 [P]. 
季娟 .
中国专利 :CN214900761U ,2021-11-26
[2]
一种增大比表面积的单晶硅电池片及其制绒方法 [P]. 
张元秋 ;
谢毅 ;
杨蕾 ;
王岚 ;
洪布双 ;
张鹏 .
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[3]
一种180~186瓦72片单晶硅电池片组件及其使用的单晶硅电池片 [P]. 
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孙占峰 ;
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[5]
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[6]
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[8]
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[10]
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